KYOTO, Japan, 31. August 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat 650-V-IGBTs der vierten Generation für elektrische Kompressoren und Hochvolt-Heizungen in Kraftfahrzeugen sowie Wechselrichter für Industrieanlagen entwickelt. Als Produkte der 650-V-Klasse für Automotive-Anwendungen erzielen die neuen IGBTs mit VCE(sat) = 1,55 V branchenweit führende* niedrige Durchlassverluste; gleichzeitig bieten sie eine hohe Kurzschlussfestigkeit und erfüllen den Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 für die Automobilindustrie.

*Studie von ROHM vom 25. August 2026

Abbildung 1: Produktmerkmale  https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI1fl_XfM2m2kD.jpg

Da Elektrofahrzeuge zunehmend auf höhere Spannungen umgestellt werden, findet SiC immer häufiger in Hochleistungsanwendungen wie Antriebswechselrichtern Verwendung. Gleichzeitig werden 650-V-IGBTs in großem Umfang als Schaltgeräte in Hilfssystemen mit geringerer Leistungsaufnahme eingesetzt, darunter elektrische Kompressoren und Hochspannungsheizungen sowie in Industrieanlagen wie Motoren und Kompressoren, und es wird erwartet, dass die Nachfrage weiter steigen wird.

Diese Anwendungen erfordern größere Energieeinsparungen und kompaktere Geräteausführungen, was zu einer starken Nachfrage nach Leistungsbauelementen führt, die eine höhere Zuverlässigkeit, kleinere Abmessungen und einen höheren Wirkungsgrad bieten. Insbesondere Wechselrichter- und Heizkreise erfordern eine Kurzschlussfestigkeit, die ausreicht, um die Zeit zu überbrücken, die zur Erkennung und Unterbrechung eines Überstroms benötigt wird.

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, hat ROHM die Bauelementstruktur, den Herstellungsprozess und die Randanschlussstruktur neu gestaltet und so IGBTs der 4. Generation entwickelt, die verlustarme Eigenschaften mit hoher Kurzschlussfestigkeit kombinieren und gleichzeitig den Anforderungen an höhere Spannungen gerecht werden. Diese Produkte erhöhen die Stromdichte und reduzieren gleichzeitig die Leit- und Schaltverluste. Trotz des Kompromisses zwischen geringeren Verlusten und Kurzschlussfestigkeit erreichen die Produkte eine Kurzschlussstandzeit von 7 Mikrosekunden bei Tj = 25 °C, was zur Verbesserung der Anwendeneffizienz und -zuverlässigkeit beiträgt.

Das Sortiment umfasst 12 Produkte im TO-247N-Gehäuse, die Serien „RGAxxTS65HR" / RGAxxTS65EHR, sowie 10 Bare-Wafer-Produkte der Serie SG83xxWN. ROHM entwickelt außerdem 12 Produkte im TO-247-4L-Gehäuse, die Serien RGAxxTR65HR / RGAxxTR65EHR.

„RGAxxTS65HR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=-#epfProductSeries

„RGAxxTS65EHR": https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)&PS_BuiltInDiode=FRD#epfProductSeries

„SG83xxWN": https://www.rohm.com/products/igbt/igbt-bare-die?CollectorEmitterVoltage_num=650.0&PS_IgbtType=A:%20For%20inverter%20(tsc%207-10%C2%B5s)#productFamily

Für die Zukunft plant ROHM, das Sortiment in denselben Gehäusen weiter auszubauen und kompakte IGBTs für die Oberflächenmontage im TO-263L-Gehäuse sowie in TSC-Gehäusen (Top-Side Cooling) zu entwickeln. ROHM wird das Sortiment an Hochleistungs-IGBTs weiter ausbauen, um einen höheren Wirkungsgrad und die Miniaturisierung in Automobil- und Industriegeräten zu unterstützen.

Abbildungen: Produktportfolio diskreter Bauelemente im TO-247-N-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI2fl_34OH2Okk.jpg

Abbildungen: Produktpalette diskreter Bauelemente im TO-247-4L-Gehäuse https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI6fl_76Ha3uxp.jpg

Abbildungen: Produktpalette an Bare Wafern https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI4fl_12gp0324.jpg

Informationen zur Marke EcoIGBT (TM) und zum Support: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O1-T04yoz6p.pdf

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-08-25_news_igbt&defaultGroupId=false

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202608194399-O2-07aO23A1.pdf

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202608194399/_prw_PI5fl_7ltyL0G9.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Die Berliner Linken-Politikerin Elif Eralp geht juristisch gegen Bundesinnenminister Alexander Dobrindt (CSU) vor. Eralp und ihr Berliner Landesverband haben nach Angaben ihres Rechtsbeistands Strafanzeige beziehungsweise Strafantrag gegen den Minister gestellt. Hintergrund ist eine Passage in der ZDF-Talkshow „Maybrit Illner“, in der sich die Moderatorin versprochen und Eralp in einem Satz fälschlich als Antisemitin bezeichnet hatte, bevor sie sich sofort korrigierte. Dobrindt kommentierte diese Szene mit den Worten „Na doch“.

Aus Sicht des von Eralp mandatierten Anwalts Jasper Prigge macht sich der Minister damit den Versprecher der Moderatorin zu eigen. In einem Schriftsatz, der mehreren Medien vorliegt, heißt es, Dobrindt stelle durch seine Einlassung eine Tatsachenbehauptung auf, die den Tatbestand der üblen Nachrede erfülle. Zudem liege eine Beleidigung vor, weil die Bezeichnung als Antisemitin „in erheblichem Maße ehrabträglich“ sei. Eralp habe sich nach Darstellung ihres Anwalts selbst nie in einer Weise geäußert, die als antisemitisch zu bezeichnen wäre, vielmehr trete sie öffentlich für den Schutz jüdischen Lebens ein.

Der Anwalt spricht von einer „Falschbehauptung des Innenministers“. Die Äußerung im Fernsehen sei geeignet, das öffentliche Wirken der Berliner Spitzenpolitikerin erheblich zu erschweren. In dem Schriftsatz wird darauf verwiesen, dass die Verbreitung des Eindrucks, Eralp würde selbst sagen, sie sei Antisemitin, ihre Integrität als politische Amtsträgerin infrage stellen und damit auch Auswirkungen auf politische Prozesse in Berlin haben könne. Eralp ist Spitzenkandidatin der Linken für das Rote Rathaus.

Die Auseinandersetzung hatte sich in der ZDF-Sendung an einem Schlagabtausch zwischen Dobrindt und der Linken-Bundestagsfraktionschefin Heidi Reichinnek entzündet. Während der Debatte unterlief Moderatorin Maybrit Illner der Versprecher, sie korrigierte sich jedoch unmittelbar mit dem Hinweis, Eralp sei „keine Antisemitin“. Dobrindts anschließender Kommentar bildet nun den Kern des juristischen Streits. Zu möglichen weiteren Schritten der Strafverfolgungsbehörden und einer Reaktion des Bundesinnenministers lagen zunächst keine näheren Angaben vor.